当前课程知识点：微电子电路基础 > 第2章——MOS晶体管原理 > 2.2 MOSFET的直流电流电压关系 > 2.2 MOSFET的直流电流电压关系（2）
下面呢 我们继续来分析这条曲线
刚才我们讲到了
在进入饱和区以后
电流不会发生改变了
当然这是一个近似的结果
那么从物理的角度来讲
在现实的生活中
在真正的机电运行的过程中
它会是这样子吗
答案是不会
比如说我们做一个极端的猜想
当我的VDS的电压升高到一千伏的时候
还会是这样子吗 不会
不会 那会发生什么呢
电流一定会继续增大
当超过某一电压的时候
晶体管会被击穿 因此呢
以上我们讲的情况
都是一种理想的情况 下面我们分析一下
实际的情况会是什么样子
在进入饱和区以后
电流其实并没有停止增长
而是增长的越来越慢
如果ID不变化的话那么就会是
无穷大 那么这个晶体管
就是非常理想的
也就是说输出电阻等于无穷大
这是大家都希望有的
好 那么引起这种非理想性的
原因到底是什么呢
当我的VD的电压继续增加的时候
会使得在此
积聚了很多的正电子
从而这些正电子
会吸引相当多的
负电子也就是沟道中的负电子
并对它们进行中和
最终的结果就导致
在沟道中出现了这么一个
Δl的这一个真空区域
也就是说实际的
沟道长度变窄了
因为这一点被夹断了 所以电荷数等于零
这里面提示了一个什么样的概念呢就是
当VDS越大的时候
Δl就越大 也就是说
当漏源之间电压越高的时候
有效沟道长度就会越短
现在想一下 假设这是一个理想的情况
假设这是一个理想的晶体管 那么就会有
Δl除以l等于零
那么这是最理想一个MOS场效管
好 那么对于这个公式来看
我们继续讨论刚才的输出电阻的问题
所以什么时候会有λ等于零呢
那么就是长沟道的
器件 也就是我们俗称的
比如说两微米三微米的元器件
那么什么时候λ不等于零呢
也就是我们说的短沟道器件
比如说现在最流行的 最前沿的
28纳米 20纳米
那么它的λ就会越来越大
从而它的输出阻抗就会越来越小
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-5.2 密勒效应
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-6.2 四种基本反馈
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