当前课程知识点:微电子器件原理 > 第2章 PN结 > 2.8 PN结的开关特性 > 2.8 PN结的开关特性
1、理解掌握反向恢复的物理过程;
2、掌握应用电荷控制方程求解反向恢复时间的公式;
3、掌握反向恢复时间的影响因素,及如何减小反向恢复时间。
2.8 PN结的开关特性
1、PN结直流开关特性
2、开关过程
PN开关过程中的电流电压曲线
3、反向恢复过程
PN结的反向恢复过程就是正偏PN结所积累的储存电荷的消失过程
4、反向恢复时间的计算
利用电荷方程可得反向恢复时间的公式:
5、反向恢复时间的影响因素分析
(1) 从电路上,应采用尽量小的 If ( 使存贮电荷Q0 = τp If 小) 和尽量大的 Ir ( 加快对Q0 的抽取) 。
(2) 从器件本身,应降低少子寿命 τp ,这一方面可减少正向时的存贮电荷Q0 = τp If ,同时可加快反向时电荷的复合。通常可采用掺金、掺铂、中子辐照或电子辐照等方法来引入复合中心,从而使τp 减少。
(3) 还应当尽量减薄轻掺杂一侧中性区的厚度。这可以使存贮在该区的少子电荷减少。
实际PN结的电流随阶跃电压的变化情形:
ts称为存储时间,tf 称为下降时间,tr=ts tf称为反向恢复时间。tr持续的过程称为反向恢复过程。
当E= -E2的持续时间小于tr时,PN结在反向时也处于导通状态,起不到开关的作用。
2、反向恢复过程
引起反向恢复过程的原因,是PN结在正向导通期间存贮在中性区中的非平衡少子电荷。
现以P N结为例。正向稳态时有:
由此可得正向稳态时Q0与If之间有关系:
上式将作为后面求解电荷方程时的初始条件,同时后一个式子就是空穴连续性方程的积分形式在稳态时的简化形式。 当电压由E1突然变为(-E2)时,正是这个存贮在N区中的非平衡少子电荷Q 0为反向电流提供了电荷来源。
在t r 期间,设PN 结上的电压为V(t),则
-1.1 泊松方程
--泊松方程
-1.2 电流密度方程
--电流密度方程
-1.3 连续性方程
--连续性方程
-2.1 PN结的平衡状态
--作业1
-2.2 准费米能级
--准费米能级ppt
-2.3 PN结的直流特性
--作业
-2.4 大注入效应
--大注入效应ppt
-2.5 PN结的击穿特性
--作业
-2.6 PN结势垒电容
--作业
-2.7 PN结交流小信号扩散电流和交流导纳
--作业
-2.8 PN结的开关特性
--作业
-2.9PN结二极管
-第2章作业考核
-3.1 引言
--3.1 引言
--第3章引言ppt
-3.2 双极晶体管基础
--作业
-3.3 均匀基区晶体管直流电流放大系数
--作业
-3.4 缓变基区晶体管直流电流放大系数
--作业
-3.5 晶体管直流电流电压方程
--作业
-3.6 晶体管的反向特性
--作业
--晶体管反向特性
-3.7 基极电阻
--基极电阻
--作业
--基极电阻ppt
-3.8电流放大系数与频率的关系
--作业
-3.9 高频小信号电流电压方程与等效电路
--作业
-3.10 功率增益和最高震荡频率
--ppt
-3.11 双极晶体管的功率特性
--1、大注入效应
--4、二次击穿
--5、最大耗散功率
--作业
--ppt
-第3章作业考核
-学习导航
-4.1 MOSFET的结构和工作原理
--作业
--ppt
-4.2 MOSFET的阈值电压
--阈值电压(1)
--阈值电压(2)
--作业
--ppt
-4.3 MOSFET输出特性的数值分析
--作业
--ppt
-4.4 亚阈值区导电
--作业
--ppt
-4.5 MOSFET的直流参数及温度特性
--作业
--ppt
-4.6 MOSFET的小信号交流参数及频率特性
--作业
--ppt
-4.7 MOSFET的短沟道效应
--短沟道效应
--ppt
-4.8 JFET和MESFET
--ppt
-第4章作业考核