当前课程知识点：电力电子技术 > 第二章： 电力电子器件 > 2.2 晶闸管门极触发电路 > Video
同学们好我们今天学习
晶闸管触发电路
我们知道 晶闸管导通的两个条件是
阳极要有正向电压
门极和阴极之间要有适当的触发信号
触发信号决定了晶闸管的导通时刻
是晶闸管变流装置中不可缺少的组成部分
1 对触发电路的要求
下面列出了常见的触发脉冲电压波形
有正弦波 尖脉冲 方波
强触发脉冲 脉冲列
1为了减小门极的损耗
广泛采用脉冲触发信号
2触发脉冲应有足够的功率
并留有一定的余量
3 触发脉冲应有一定的宽度
脉冲的前沿尽可能陡
4触发脉冲必须与晶闸管的阳极电压同步
移相范围须满足要求
正弦触发脉冲信号由于前沿不陡
触发的准确性差
仅用于触发要求不高的合
尖脉冲生成容易
也用于触发要求不高的合
方波脉冲 较常用
强触发脉冲 前沿陡峭 宽度可调
有强触发能力 适用大功率场合
脉冲列 有强触发功能
控制精度高 应用广泛
2 单结晶体管的结构和特性
单结晶体管的是在一块高电阻率的
N型半导体基片上引出两个欧姆接触的电极
第一基极b1和第二基极b2
在两个基极间靠近b2处
用合金法或扩散法渗入P型杂质
引出发射极e
等效电路
电气符号
管脚图
实物
将单结晶体管等效成一个
二极管VD和两个电阻
Rb1、Rb2组成的等效电路
那么当基极上加电压Ubb时
Rb1上分得的电压为
单节晶体管的实验图
b2 b1间加入正向电压后
发射极e 基极b1间呈高阻性
也就是e b1之间是不导通的
但是当e的电位达到
b2 、b1间电压的某一比值时
e、 b1间立刻变成低电阻
相当于e、b1之间是导通的
这是单结晶体管最基本的特点
调节Re 使Ue从零逐渐增加
当Ue ＜ηUbb时 单结晶体管PN
结处于反向偏置状态
只有很小的反向漏电流
当发射极电位Ue比ηUbb高出一个
二极管的管压降UVD时
单结晶体管开始导通
这个电压称为峰点电压Up
故Up =ηUbb+ UVD
此时的发射极电流称为峰点电流Ip
Ip是单结晶体管导通所需的最小电流
单结晶体管饱和后
欲使Ie继续增大
必须增大电压Ue
由负阻区转化到饱和区的
转折点V称为谷点
与谷点对应的电压和电流
分别称为谷点电压Uv和谷点电流Iv
谷点电压是维持单结晶体管导通的最小电压
一旦Ue小于Uv
则单结晶体管将由导通转化为截止
综上所述
单结晶体管具有以下特点
1当发射极电压等于峰点电压Up时
单结晶体管导通
导通之后 当发射极电压
小于谷点电压Uv时
单结晶体管就恢复截止
2单结晶体管的峰点电压Up
与外加固定电压及其分压比η有关
3不同单结晶体管的谷点电压Uv
和谷点电流Iv都不一样
谷点电压大约在2～5 V之间
在触发电路中 常选用η稍大一些
Uv低一些和Iv大一些的单结晶体管
以增大输出脉冲幅度和移相范围
3 单结晶体管的自激振荡电路
自激振荡原理图
自激振荡波形图
电源接通后 电容C 经可变电阻r
固定电阻R充电
电容两端的电压UC逐渐升高
当UC达到单结晶体管的峰点电压Up时
单结晶体管导通
电容C经单结晶体管的发射极
电阻Rb1向电阻R2放电
在R2上输出一个脉冲电压
当电容放电至uC=Uv并趋向更低时
单结晶体管截止R2上的脉冲电压结束
之后电容从Uv值又开始充电
充电到Up时 单结晶体管又导通
此过程一直重复下去
在R2上就得到一系列的脉冲电压
同学们好
我们今天学习了
晶体管触发电路
今天的课就讲到这里
同学们再见
-1.1 电力电子技术基本概念及其发展与应用
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-第一章：测试--作业
-2.1半可控器件-晶闸管
--Video
-2.2 晶闸管门极触发电路
--Video
-第二章：测试--作业
-3.1 单相可控整流电路
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-3.2 单相桥式全控整流电路
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-3.3三相半波可控整流电路
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-3.4 三相桥式全控整流电路
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-3.5.1 单相半波可控整流电路仿真
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-3.5.2 单相半波可控整流电路仿真
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-3.6.1 单相全波可控整流电路仿真
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-3.6 .2单相全波可控整流电路仿真
--Video
-3.7 .1单相桥式全控整流电路仿真
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-3.7 .2单相桥式全控整流电路仿真
--Video
-3.8三相半波可控整流电路仿真
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-3.9.1 三相桥式全控整流电路仿真
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-3.9.2 三相桥式全控整流电路仿真
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-第三章： 整流电路--第三章：测试
-4.1 基本斩波电路
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-4.2 降压斩波电路仿真
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-4.3 升降压电路仿真
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-第四章：测试--作业
-5.1 单相桥式方波逆变电路
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-5.2 电压型逆变电路
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-5.3 单相桥式方波逆变电路仿真
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-5.4.1 单相桥式spwm逆变电路仿真
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-5.4.2 单相桥式spwm逆变电路仿真
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-5.4.3 单相桥式spwm逆变电路仿真
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-5.4.4 单相桥式spwm逆变电路仿真
--Video
-5.5.1 电压型逆变电路仿真
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-5.5.2 电压型逆变电路仿真
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-5.5.3 电压型逆变电路仿真
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-5.6.1 电流型逆变电路仿真
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-5.6.2 电流型逆变电路仿真
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-5.6.3 电流型逆变电路仿真
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-第五章：测试--作业
-6.1 Pwm技术基本工作原理
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-6.2.1 Pwm逆变电路及控制方式仿真
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-6.2.2 Pwm逆变电路及控制方式仿真
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-6.2.3 Pwm逆变电路及控制方式仿真
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-6.3.1 单极性spwm控制仿真
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-6.3.2 单极性spwm控制仿真
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-6.3.3单极性spwm控制仿真
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-6.4.1 双极性spwm控制仿真
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-6.4.2 双极性spwm控制仿真
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-6.5.1STC15单片机实现占空比固定的PWM波
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-6.5.2Stc15单片机实现占空比固定的pwm波
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-6.6.1Stc15单片机实现占空比可调的pwm波
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-6.6.2Stc15单片机实现占空比可调的pwm波
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-6.6.3Stc15单片机实现占空比可调的pwm波
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-6.6.4Stc15单片机实现占空比可调的pwm波
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-6.6.5Stc15单片机实现占空比可调的pwm波
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-6.6.6Stc15单片机实现占空比可调的pwm波
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-6.6.7Stc15单片机实现占空比可调的pwm波
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-6.7.1基于stc单片机实现pwm控制
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-6.7.2基于stc单片机实现pwm控制
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-第六章：测试--作业
-7.1.1 变频器的主电路结构
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-7.1.2 变频器的主电路结构
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-7.2.1 变频器的参数设定与常用控制功能
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-7.2.2 变频器的参数设定与常用控制功能
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-7.2.3 变频器的参数设定与常用控制功能
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-第七章：测试--作业
