当前课程知识点:Semiconductor Physics > Chapter 2 Principles of Quantum Mechanics 量子力学初步 > 2.3 Applications of Schrodinger’s wave equation 薛定谔波动方程的应用 > Courseware
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-The definition and application of semiconductor 半导体定义及其应用
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-The history of semiconductors 半导体发展历史
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-Chapter test
-The applications of semiconductor materials and devices
-1.1 Classification of solids 固体分类
--Classification of solids 固体分类
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-1.2 Defects and Impurities 缺陷和杂质
--Defects and Impurities 缺陷和杂质
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-1.3 Growth Methods of Semiconductor Materials 半导体材料生长方法
--Growth Methods of Semiconductor Materials 半导体材料生长方法
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-Chapter test
-Growth method of semiconductor materials
-2.1 Energy quanta 能量量子
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-2.2 Schrodinger’s Wave Equation 薛定谔波动方程
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-2.3 Applications of Schrodinger’s wave equation 薛定谔波动方程的应用
--Applications of Schrodinger’s wave equation
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-2.4 Extensions of the Wave Theory to Atoms 源自波动理论的延伸
--Extensions of the Wave Theory to Atoms
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-Chapter test
-3.1 Allowed and Forbidden Energy Bands 允带和禁带
--Allowed and Forbidden Energy Bands
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-3.2 Electrical Conduction in Solids 固体中电的传导
--Electrical Conduction in Solids
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-3.3 Extension to Three Dimensions 三维扩展
--Extension to Three Dimensions
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-3.4 Density of States Function 态密度函数
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-3.5 Statistical Mechanics 统计力学
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-Chapter test
-4.1 Charge Carriers in Semiconductors 半导体中的载流子
--Charge Carriers in Semiconductors
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-4.2 Dopant Atoms and Energy Levels 掺杂原子和能级
--Dopant Atoms and Energy Levels
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-4.3 The Extrinsic Semiconductor 非本征半导体
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-4.4 Statistics of Donors and Acceptors 施主和受主的统计学分布
--Statistics of Donors and Acceptors
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-4.5 Charge Neutrality 电中性态
--Section test
-4.6 Position of Fermi Level 费米能级位置
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-Chapter test
-5.1 Carrier Drift 载流子漂移
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-5.2 Carrier Diffusion 载流子扩散
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-5.3 Graded Impurity Distribution 杂质梯度分布
--Graded Impurity Distribution
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-5.4 Hall Effect 霍尔效应
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-Chapter test
-6.1 Carrier Generation and Recombination 载流子的产生与复合
--6.1
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-6.2 Characteristics of Excess Carriers 过剩载流子的性质
--6.2
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-6.3 Ambipolar Transport 双极输运
--6.3
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-6.4 Quasi-Fermi Levels & Lifetime of Excess Carriers 准费米能级及过剩载流子寿命
--6.4
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-6.5 Surface Effects 表面效应
--6.5
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-Chapter test
-7.1 The basic structure of pn junction pn结基本结构
--7.1
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-7.2 Zero Applied Bias 零偏压
--7.2
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-7.3 Reverse Applied Bias 反偏压
--7.3
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-Chapter test
-8.1 pn Junction Current pn结电流
--8.1
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-8.2 Generation and Recombination Currents 产生-复合电流
--8.2
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-8.3 Small Signal Model of pn Junction pn结小信号模型
--8.3
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-8.4 Several special pn junction diodes 特殊pn结二极管
--8.4
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-8.5 Optical Absorption 光吸收
--8.5
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-8.6 Solar Cell 太阳能电池
--8.6
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-8.7 Photodetector 光电探测器
--8.7
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-8.8 Light Emitting Diode (LED) 发光二极管
--8.8
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-Chapter test
-9.1 Schottky Barrier Diode 肖特基势垒二极管
--9.1
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-9.2 Metal-Semiconductor Ohmic Contacts 金半欧姆接触
--9.2
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-9.3 Heterojunctions 异质结
--9.3
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-Chapter test
-Schottky contact and Ohmic contact
-10.1 Introduction 简介
--10.1
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-10.2 MOS Energy band diagram and depletion layer thickness MOS能带图和耗尽层厚度
--10.2
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-10.3 MOS work function difference and flatband voltage MOS功函数差和平带电压
--10.3
--Section test
-10.4 MOS threshold voltage and charge distribution MOS阈值电压和电荷分布
--10.4
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-10.5 Ideal C-V characteristics 理想CV特性
--10.5
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-10.6 Three effects on C-V characteristics CV特性的三个效应
--10.6
--Section test
-10.7 MOSFET basics and I-V characteristics 场效应晶体管的IV特性
--10.7
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-10.8 MOSFET transconduction and substrate bias effect 跨导和衬底偏置效应
--10.8
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-10.9 Frequency Limitations 频率限制特性
--10.9
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-10.10 CMOS Technology CMOS技术
--10.10
--Section test
-Chapter test
-11.1 Nonideal Effects Sub-threshold conduction 亚阈值电导
--11.1
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-11.2 Channel length modulation 沟道长度调制
--11.2
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-11.3 Mobility variation 迁移率变化
--11.3
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-11.4 velocity saturation and ballistic transport 速度饱和和弹道输运
--11.4
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-11.5 MOSFET Scaling 按比例缩小
--11.5
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-11.6 Threshold Voltage Modifications 阈值电压修正
--11.6
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-11.7 Voltage breakdown mechanisms 击穿电压机理
--11.7
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-11.8 Threshold adjustment ion implantation 离子注入调整阈值电压
--11.8
--Section test
-Chapter test
-12.1 BJT basic operation principle 基本工作原理
--12.1
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-12.2 BJT simplified current relation 简化电流关系
--12.2
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-12.3 BJT operation modes and amplification with BJT 工作模式
--12.3
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-12.4 Minority Carrier Distribution Forward active region 少子分布和正向有源
--12.4
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-12.5 Minority Carrier Distribution other operation modes 少子分布与其它工作模式
--12.5
--Section test
-12.6 Current gain contribution factors 电流增益
--12.6
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-12.7 Derivation of current components and current gain factors 电流成分和增益的推导
--12.7
--Section test
-12.8 Non ideal effects 非理想效应1
--12.8
--Section test
-12.9 Non ideal effects 非理想效应2
--12.9
--Section test
-12.10 Equivalent Circuit Models 等效电路模型
--12.10
--Section test
-12.11 Frequency Limitation 频率限制
--12.11
--Section test
-12.12 Large Signal Switching 大信号开关
--12.12
--Section test
-Chapter test
-13.1 pn JFET basic operation mechanism pn JFET基本工作原理1
--13.1
--Section test
-13.2 pn JFET basic operation mechanism pn JFET基本工作原理2
--13.2
--Section test
-13.3 MESFET Operation MESFET 工作原理
--13.3
--Section test
-13.4 HEMT 高电子迁移率晶体管
--13.4
--Section test
-Junction field-effect transistor
-Chapter test
-14.1 Power Diodes 功率二极管
--14.1
--Section test
-14.2 Power Bipolar Transistors 功率双极晶体管
--14.2
--Section test
-14.3 Power MOSFETs 功率场效应晶体管
--14.3
--Section test
-14.4 The Thyristor 晶闸管
--14.4
--Section test
-Chapter test
-Final exam
--Final exam