当前课程知识点:Semiconductor Physics >  Final exam >  Final exam >  Band gap

返回《Semiconductor Physics》慕课在线视频课程列表

Band gap

Could you talk about what is band gap and how to use it in semiconductor?

返回《Semiconductor Physics》慕课在线视频列表

Semiconductor Physics课程列表:

Introduction 绪论

-The definition and application of semiconductor 半导体定义及其应用

--Introduction 1

--Section test

-The history of semiconductors 半导体发展历史

--Introduction 2

--Section test

-Chapter test

-The applications of semiconductor materials and devices

-Courseware

Chapter 1 Basic Concepts in Crystals 晶体基本概念

-1.1 Classification of solids 固体分类

--Classification of solids 固体分类

--Section test

--Courseware

-1.2 Defects and Impurities 缺陷和杂质

--Defects and Impurities 缺陷和杂质

--Section test

--Courseware

-1.3 Growth Methods of Semiconductor Materials 半导体材料生长方法

--Growth Methods of Semiconductor Materials 半导体材料生长方法

--Section test

--Courseware

-Chapter test

-Growth method of semiconductor materials

Chapter 2 Principles of Quantum Mechanics 量子力学初步

-2.1 Energy quanta 能量量子

--Energy quanta 能量量子

--Section test

--Courseware

-2.2 Schrodinger’s Wave Equation 薛定谔波动方程

--Schrodinger’s Wave Equation

--Section test

--Courseware

-2.3 Applications of Schrodinger’s wave equation 薛定谔波动方程的应用

--Applications of Schrodinger’s wave equation

--Section test

--Courseware

-2.4 Extensions of the Wave Theory to Atoms 源自波动理论的延伸

--Extensions of the Wave Theory to Atoms

--Section test

--Courseware

-Chapter test

-Quantum mechanics knowledge

Chapter 3 Energy band theory of solids 固体能带论

-3.1 Allowed and Forbidden Energy Bands 允带和禁带

--Allowed and Forbidden Energy Bands

--Section test

-3.2 Electrical Conduction in Solids 固体中电的传导

--Electrical Conduction in Solids

--Section test

--Courseware

-3.3 Extension to Three Dimensions 三维扩展

--Extension to Three Dimensions

--Section test

--Courseware

-3.4 Density of States Function 态密度函数

--Density of States Function

--Section test

--Courseware

-3.5 Statistical Mechanics 统计力学

--Statistical Mechanics

--Section test

--Courseware

-Chapter test

-Electron effective mass

Chapter 4 The Semiconductor in Equilibrium 平衡半导体

-4.1 Charge Carriers in Semiconductors 半导体中的载流子

--Charge Carriers in Semiconductors

--Section test

--Courseware

-4.2 Dopant Atoms and Energy Levels 掺杂原子和能级

--Dopant Atoms and Energy Levels

--Section test

--Courseware

-4.3 The Extrinsic Semiconductor 非本征半导体

--The Extrinsic Semiconductor

--Section test

--Courseware

-4.4 Statistics of Donors and Acceptors 施主和受主的统计学分布

--Statistics of Donors and Acceptors

--Section test

--Courseware

-4.5 Charge Neutrality 电中性态

--Charge Neutrality

--Section test

--Courseware

-4.6 Position of Fermi Level 费米能级位置

--Position of Fermi Level

--Section test

--Courseware

-Chapter test

-Band gap

Chapter 5 Carrier Transport Phenomena 载流子输运现象

-5.1 Carrier Drift 载流子漂移

--Carrier Drift

--Section test

--Courseware

-5.2 Carrier Diffusion 载流子扩散

--Carrier Diffusion

--Section test

--Courseware

-5.3 Graded Impurity Distribution 杂质梯度分布

--Graded Impurity Distribution

--Section test

--Courseware

-5.4 Hall Effect 霍尔效应

--Hall Effect

--Section test

--Courseware

-Chapter test

-Drift and diffusion

Chapter 6 Nonequilibrium Excess Carriers in Semiconductors 半导体中的非平衡过剩载流子

-6.1 Carrier Generation and Recombination 载流子的产生与复合

--6.1

--Section test

--Courseware

-6.2 Characteristics of Excess Carriers 过剩载流子的性质

--6.2

--Section test

--Courseware

-6.3 Ambipolar Transport 双极输运

--6.3

--Section test

--Courseware

-6.4 Quasi-Fermi Levels & Lifetime of Excess Carriers 准费米能级及过剩载流子寿命

--6.4

--Section test

--Courseware

-6.5 Surface Effects 表面效应

--6.5

--Section test

--Courseware

-Chapter test

-Ambipolar transport

Chapter 7 The pn Junction pn 结

-7.1 The basic structure of pn junction pn结基本结构

--7.1

--Section test

--Courseware

-7.2 Zero Applied Bias 零偏压

--7.2

--Section test

--Courseware

-7.3 Reverse Applied Bias 反偏压

--7.3

--Section test

--Courseware

-Chapter test

-pn junction

Chapter 8 The pn Junction Diode pn结二极管

-8.1 pn Junction Current pn结电流

--8.1

--Section test

--Courseware

-8.2 Generation and Recombination Currents 产生-复合电流

--8.2

--Section test

--Courseware

-8.3 Small Signal Model of pn Junction pn结小信号模型

--8.3

--Section test

--Courseware

-8.4 Several special pn junction diodes 特殊pn结二极管

--8.4

--Section test

--Courseware

-8.5 Optical Absorption 光吸收

--8.5

--Section test

--Courseware

-8.6 Solar Cell 太阳能电池

--8.6

--Section test

--Courseware

-8.7 Photodetector 光电探测器

--8.7

--Section test

--Courseware

-8.8 Light Emitting Diode (LED) 发光二极管

--8.8

--Section test

--Courseware

-Chapter test

-pn junction diodes

Chapter 9 Metal–Semiconductor and Semiconductor Heterojunctions 金属-半导体和异质结

-9.1 Schottky Barrier Diode 肖特基势垒二极管

--9.1

--Section test

--Courseware

-9.2 Metal-Semiconductor Ohmic Contacts 金半欧姆接触

--9.2

--Section test

--Courseware

-9.3 Heterojunctions 异质结

--9.3

--Section test

--Courseware

-Chapter test

-Schottky contact and Ohmic contact

Chapter 10 Metal–Oxide– Semiconductor Field-Effect Transistor 场效应晶体管

-10.1 Introduction 简介

--10.1

--Section test

--Courseware

-10.2 MOS Energy band diagram and depletion layer thickness MOS能带图和耗尽层厚度

--10.2

--Section test

--Courseware

-10.3 MOS work function difference and flatband voltage MOS功函数差和平带电压

--10.3

--Section test

--Courseware

-10.4 MOS threshold voltage and charge distribution MOS阈值电压和电荷分布

--10.4

--Section test

--Courseware

-10.5 Ideal C-V characteristics 理想CV特性

--10.5

--Section test

--Courseware

-10.6 Three effects on C-V characteristics CV特性的三个效应

--10.6

--Section test

--Courseware

-10.7 MOSFET basics and I-V characteristics 场效应晶体管的IV特性

--10.7

--Section test

--Courseware

-10.8 MOSFET transconduction and substrate bias effect 跨导和衬底偏置效应

--10.8

--Section test

--Courseware

-10.9 Frequency Limitations 频率限制特性

--10.9

--Section test

--Courseware

-10.10 CMOS Technology CMOS技术

--10.10

--Section test

--Courseware

-MOSFET

-Chapter test

Chapter 11 Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor: Additional Concepts 场效应晶体管补充

-11.1 Nonideal Effects Sub-threshold conduction 亚阈值电导

--11.1

--Section test

--Courseware

-11.2 Channel length modulation 沟道长度调制

--11.2

--Section test

--Courseware

-11.3 Mobility variation 迁移率变化

--11.3

--Section test

--Courseware

-11.4 velocity saturation and ballistic transport 速度饱和和弹道输运

--11.4

--Section test

--Courseware

-11.5 MOSFET Scaling 按比例缩小

--11.5

--Section test

--Courseware

-11.6 Threshold Voltage Modifications 阈值电压修正

--11.6

--Section test

--Courseware

-11.7 Voltage breakdown mechanisms 击穿电压机理

--11.7

--Section test

--Courseware

-11.8 Threshold adjustment ion implantation 离子注入调整阈值电压

--11.8

--Section test

--Courseware

-Nonideal effects of MOSFET

-Chapter test

Chapter 12 The Bipolar Transistor 双极晶体管

-12.1 BJT basic operation principle 基本工作原理

--12.1

--Section test

--Courseware

-12.2 BJT simplified current relation 简化电流关系

--12.2

--Section test

--Courseware

-12.3 BJT operation modes and amplification with BJT 工作模式

--12.3

--Section test

--Courseware

-12.4 Minority Carrier Distribution Forward active region 少子分布和正向有源

--12.4

--Section test

--Courseware

-12.5 Minority Carrier Distribution other operation modes 少子分布与其它工作模式

--12.5

--Section test

--Courseware

-12.6 Current gain contribution factors 电流增益

--12.6

--Section test

--Courseware

-12.7 Derivation of current components and current gain factors 电流成分和增益的推导

--12.7

--Section test

--Courseware

-12.8 Non ideal effects 非理想效应1

--12.8

--Section test

--Courseware

-12.9 Non ideal effects 非理想效应2

--12.9

--Section test

--Courseware

-12.10 Equivalent Circuit Models 等效电路模型

--12.10

--Section test

--Courseware

-12.11 Frequency Limitation 频率限制

--12.11

--Section test

--Courseware

-12.12 Large Signal Switching 大信号开关

--12.12

--Section test

--Courseware

-Bipolar transistor

-Chapter test

Chapter13 The Junction Field-Effect Transistor 结型场效应晶体管

-13.1 pn JFET basic operation mechanism pn JFET基本工作原理1

--13.1

--Section test

--Courseware

-13.2 pn JFET basic operation mechanism pn JFET基本工作原理2

--13.2

--Section test

--Courseware

-13.3 MESFET Operation MESFET 工作原理

--13.3

--Section test

--Courseware

-13.4 HEMT 高电子迁移率晶体管

--13.4

--Section test

--Courseware

-Junction field-effect transistor

-Chapter test

Chapter 14 Semiconductor Power Devices 半导体功率器件

-14.1 Power Diodes 功率二极管

--14.1

--Section test

--Courseware

-14.2 Power Bipolar Transistors 功率双极晶体管

--14.2

--Section test

--Courseware

-14.3 Power MOSFETs 功率场效应晶体管

--14.3

--Section test

--Courseware

-14.4 The Thyristor 晶闸管

--14.4

--Section test

--Courseware

-Semiconductor power devices

-Chapter test

Final exam

-Final exam

--Final exam

Band gap笔记与讨论

也许你还感兴趣的课程:

© 柠檬大学-慕课导航 课程版权归原始院校所有,
本网站仅通过互联网进行慕课课程索引,不提供在线课程学习和视频,请同学们点击报名到课程提供网站进行学习。