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2-2-2 硅材料的压阻效应在线视频

2-2-2 硅材料的压阻效应

下一节:2-2-3 集成压阻压力传感器的设计

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2-2-2 硅材料的压阻效应课程教案、知识点、字幕

下面我们来介绍一下

硅材料的压阻系数

单晶硅具有立方体金刚石结构

那么使立方晶系材料的电阻率

发生变化的外力一共有6个

分别是沿x y和z方向的轴向应力

以及沿xy yz xz

3个平面方向的剪切应力

对于立方晶系的材料

其电阻率的相对变化

与应力之间的关系

可以由以下式子来表示

将这样一个式子

用矩阵的方式来表述

我们可以看到

硅材料的压阻系数

实际上是一个6乘6的矩阵

由于硅晶胞的3个晶轴完全等效

同时又使得坐标系与晶轴相重合

所以我们可以得到

π11等于π22等于π33

同时

π44和π55 π66也相等

π13等于π31等于π12

等于π21等于π32等于π23

另外 由于轴向应力

不可能产生剪切的压阻效应

所以我们得到

π41 π42 π43

π51 π52 π53

以及 π61 π62 π63

都等于0

第三 由于剪切应力

不可能产生轴向的压阻效应

那么我们可以得到

π14 π15 π16

π24 π25 π26

π34 π35和π36

也都等于0

还有 由于剪切应力

不可能在剪切面之外

产生压阻效应

那么我们可以得到

π45 π46 π54

π56 π64和π65

也都等于0

这样的话我们刚才得到的

硅材料的压阻系数矩阵

就可以简化为这样一个式子

在这样一个式子中

硅材料的压阻系数矩阵

只有π11 π12和π44

三个压阻系数是独立的

通过这三个独立的压阻系数

就可以描述硅材料的压阻效应

那么π11 π12和π44

分别是材料的纵向压阻系数

横向压阻系数以及剪切压阻系数

这个表列出了硅和锗

半导体材料的压阻系数

对于P型硅

π11和π12的绝对值

远小于π44

而是N型硅π11的绝对值

大于π12和π44

然而在实际的应用中

由硅材料制做的电阻

及电流电压方向以及应力方向

不一定和硅材料的

晶轴方向是一致的

因此为了计算电阻的变化

与外加应力的关系

必须对这个电阻进行坐标变换

事实上电阻的纵向和横向应力

都会对其电阻变化有贡献

假设电阻的纵向 横向

与晶轴方向之间的方向余弦

分别为l1 m1 n1

和l2 m2 n2

那么这个电阻的纵向压阻系数

可以用以下这个式子来描述

相应的

其横向压阻系数πt

有这样一个式子来描述

下面我们举一个例子

在100硅片上

长度方向沿100晶向的电阻

其纵向余弦

分别为根号二分之一

根号二分之一和零

其横向方向余弦

为负的根号二分之一

根号二分之一和零

因此对于这样一个电阻

它的纵向压阻系数为

二分之一乘以

π11加π12加π44

而它的横向压阻系数

为二分之一

π11加π12减去π44

根据我们刚才提到的N型硅

和P型硅的压阻系数值

我们可以得到假如

该电阻由N型硅制造的话

其πl等于负的312

πt等于负的176

而假如该电阻条

用P型硅来制作的话

其长度方向的压阻系数

πl等于718

而横向的压阻系数

πt等于负的663

所以说从这样一个实例中

我们可以看到对于100硅片上

长度方向沿110晶向的电阻

当它是以P型硅材料制作的时候

它的纵向压阻系数

πl就约等于二分之一π44

而其横向的压阻系数

约等于负的二分之一π44

由于P型硅有这样一个特点的

压阻系数

使得用它来制作压阻式的传感器

有很大的优势

这一点我们在后续的介绍中

将会提及

这两张图分别描述了

100硅片上

P型和N型电阻它的方向

与其横向 纵向压阻系数

之间的关系

左图为P型电阻的关系

对于P型电阻

我们可以看到

其长度方向的压阻系数

与其横向的压阻系数

基本上是大小相等 方向相反

而对于整个电阻值的变化

其所受的横向应力

和纵向应力都将有所贡献

从这个式子我们可以看到

条形电阻的阻值变化

在应力作用下等于

长度方向的应力

乘以其长度方向的压阻系数

再加上横向的应力

乘以横向的压阻系数

此外硅材料的压阻系数

与硅材料的导电类型

以及温度都是有关系的

在这张图中我们可以看到

对于P型硅掺杂浓度越高

其压阻系数会越低

同时温度越高

它的压阻系数也越低

而对于高掺杂浓度的条件下

硅材料的压阻系数

随温度的变化会很小

而在低掺杂浓度的情况下

温度对材料的压阻系数

影响会非常大

非常类似的特性

也会在N型硅中会看到

集成传感器课程列表:

第一章

-第1节 什么是传感器

--第1节 什么是传感器

-第2节 什么是集成传感器

--第2节 什么是集成传感器

-第3节 集成传感器的应用

--第3节 集成传感器的应用

-第4节 硅材料与半导体物理简介

--第4节 硅材料与半导体物理简介

-第5节 半导体器件简介

--第5节 半导体器件简介

第二章

-第1节 集成力传感器

--2-1 集成力传感器

-第2节 集成压阻压力传感器

--2-2-1 压阻效应

--2-2-2 硅材料的压阻效应

--2-2-3 集成压阻压力传感器的设计

--2-2-4 集成压阻压力传感器的工艺

-第3节 电容式力传感器

--2-3 电容式力传感器

--2-3-1 电容力传感器原理与结构

--2-3-2 集成电容加速度传感器

--2-3-3 电容角速度传感器

--2-3-4 集成声传感器

-第二章--习题

第三章

-第1节 温度传感器简介

--3-1 温度传感器简介

-第2节 硅热敏电阻

--3-2 硅热敏电阻

-第3节 PN结温度传感器

--3-3 PN结温度传感器

-第4节 双极型晶体管温度传感器

--3-4 双极型晶体管温度传感器

-第5节 热电传感器

--3-5 热电传感器

-第三章--习题

第四章

-第1节 湿度传感器简介

--4-1 湿度传感器简介

-第2节 湿度的定义与检测方法

--4-2 湿度的定义与检测方法

-第3节 多种原理的集成湿度传感器-1

--4-3 多种原理的集成湿度传感器-1

-第4节 多种原理的集成湿度传感器-2

--4-4 多种原理的集成湿度传感器-2

-第四章--习题

第五章(上)

-第1节 磁传感器简介

--5-1磁传感器简介

-第2节 霍尔效应

--5-2 霍尔效应

-第3节 霍尔传感器的设计

--5-3 霍尔传感器的设计

-第4节 霍尔传感器的示例

--5-4 霍尔传感器的示例

-第五章(上)--习题

第五章(下)

-第5节 磁电阻传感器

--5-5 磁电阻传感器

--5-5-1 各向异性磁电阻

--5-5-2 巨磁电阻

-第6节 磁敏二极管

--5-6 磁敏二极管

-第7节 磁敏三极管

--5-7 磁敏三极管

-第五章(下)--习题

第六章(上)

-第1节 光波与光传感器简介

--6-1 光波与光传感器简介

-第2节 光电导效应与光敏电阻

--6-2 光电导效应与光敏电阻

-第3节 光敏二极管和三极管-1

--6-3 光敏二极管和三极管-1

-第六章(上)--习题

第六章(下)

-第4节 光敏二极管和三极管-2

--6-4 光敏二极管和三极管-2

-第5节 光电池

--6-5 光电池

-第6节 图像传感器

--6-6 图像传感器

-第六章(下)--习题

第七章(上)

-第1节 气体传感器概述

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-第2节 气体传感器分类及性能指标

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-第3节 接触(催化)燃烧式气体传感器

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-第4节 电阻式金属氧化物半导体传感器

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第七章(下)

-第5节 电化学式气体传感器

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-第6节 MOSFET型气体传感器

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-第7节 集成气体传感器实例和未来

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--Video

-第七章(下)--习题

-讨论一

-讨论二

-讨论三

第八章

-第一部分 引言与智能传感器

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-第二部分 无线传感网络、总结与展望

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-第八章--习题

-讨论一

-讨论二

-讨论三

2-2-2 硅材料的压阻效应笔记与讨论

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