当前课程知识点:2015年清华大学研究生学位论文答辩(一) > 第3周 水利系、微纳电子系、工物系、材料学院、医学院、法学院 > 微纳电子系-田禾 > 答辩陈述
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首先我代表这个
学位分委员会宣读
由学位评定委员会主席审批的
答辩委员会主席及成员名单
那么主席是郝一龙教授
北京大学微电子学研究所
许军教授
清华大学微电子所
张广宇研究员
中科院物理所
王燕教授
清华大学微电子所
岳瑞峰教授
清华大学微电子所
任天令教授
清华大学微电子所
那么下面就请答辩委员会主席
宣布田禾同学的这个答辩会开始
田禾同学博士论文答辩
答辩会现在开始
首先由这个答辩委员会秘书
介绍答辩人的基本情况
包括简历和来校学习后的成绩
以及一些其它情况
田禾同学1988年3月2日
出生于湖北省孝感市
2006年9月
考入合肥工业大学
理学院微电子学专业
2010年7月毕业
并获理学学士学位
2010年9月
免试进入清华大学
微电子与纳电子学系
攻读博士学位
研究生阶段
田禾同学总共选修学分
是39个学分
是满足博士的答辩要求
基本情况是这样
好 下面由答辩人田禾同学
报告学位论文的内容
时间30到40分钟
尊敬的各位老师
亲爱的同学们大家下午好
我是博士研究生田禾
我的导师是任天令教授
今天我博士论文答辩的题目是
基于石墨烯的
新型微纳电子器件研究
今天我将分三个部分进行介绍
首先将介绍研究的背景
接下来将介绍研究的主要内容
主要将介绍四类代表性的器件
最后做一个总结
这是我们微电子技术的发展架构
我们在日常生活中使用的手机
笔记本以及互联网
都是微电子技术发展的产物
那么它们中间环节需要IC设计
以及流片
那么底层的创新
来自于器件层次
那么ITRS提出了More Moore
和More than Moore
两个发展器件的方向
那么More Moore
即是继续的scaling down
那么More than Moore
即是发展各种类型的新型的器件
目前微电子技术
已经发展到14纳米节点
目前主流的器件类型有两种
一种是基于Fin-FET
另一种是Ultra-Thin Body SOI
那么随着摩尔定律的继续发展
那么沟道的厚度
将会降低到0.7纳米以下
那么这个时候
它的库伦散射会显著增强
对于硅来说
那么它的迁移率会下降到
100厘米的平方每伏每秒
那么这相对它原来的体材料来说
下降了10倍以上
不仅硅的迁移率会急剧下降
硅和锗它们的禁带宽度
会随着厚度的进一步下降
它们会急剧增加
这会导致晶体管的失效
那么二维材料
给这样一个摩尔定律的发展
带来了新的一个机遇
可以看到石墨烯
具有非常优异的迁移率
那么二维家族里面
还有这个金属
过渡金属的硫化物
那么它们具有合适的禁带宽度
那么接下来介绍一下
石墨烯的基本性质
那么石墨烯是由SP2杂化
构成的单层碳原子
那么它的厚度仅为0.34纳米
那么它的面内
是由这个原子键构成
因此是结合力非常强的
而层间
则是由范德瓦尔斯力构成
因此可以通过剥离的方式
获得单层的石墨烯
石墨烯的能带
是由这种导带和价带
在狄拉克点处结合
满足线性的色散关系
并且对称
我们可以看一下
石墨烯具有非常优异的
电学、力学、光学以及热学的特性
那么由于石墨烯
具有这么多优异的物理特性
那么它为构建新型器件
提供了良好的平台
比如结合能带和高迁移率
我们可以实现RF-FET
结合能带和单原子层厚度
那么可以实现
这么一种新型的超薄的存储器
结合高迁移率和光学特性
我们可以实现光电探测
结合光学以及机械强度
我们可以实现谐振器
我们还可以实现执行器
热整流器、热声器件
力学传感、发光器件等等等等
这个类型是无穷无尽的
只要你尝试去结合任意两点
就可以产生一种新的器件
那么我们来看一下
石墨烯的研究进程
那么从2004年到2010年
石墨烯的研究主要集中在
基本特性的研究
我们来看一下时间轴
那么最早的时候
那么Novoselov和Geim
他们首先发现了石墨烯
之后Ferrari等人
他们研究了石墨烯的拉曼特性
2007年他们发现了
室温下的量子霍尔效应
2008年1TPa杨氏模量
非常高的热导率
以及非常高的透光率
都被研究出来
那么这样的话
石墨烯的基本特性
已经基本研究完备
那么在这六年间
也大量的研究了
石墨烯的制备工艺
2005年诺奖二人
他们系统性的研究了
如何去剥离二维的材料
那么到了2009年的时候
Wafer-scale在石墨烯的
碳化硅上生长
以及大面积的rGO
以及在大面积的石墨烯
在铜上的生长工艺
都日趋成熟
那么一个代表性的成果
是2010年的时候
Roll-to-Roll 30-inch 的石墨烯
已经被制备出来
那么到至此呢
这个石墨烯的制备工艺
也基本告一段落
那么到了2011年
出来一个里程碑式的工作
那么就是IBM
他们制作了一个
100GHz的一个RF-FET
那么这是一个里程碑式的
将这个石墨烯的这个研究
又带入了这么一个
器件的这么一个领域
那么我的博士课题
正是在这个时期开始切入的
我的课题就是要去
研究各种各样类型的
新型的石墨烯器件
那么至此有一些石墨烯器件
都被研究出来
然后这些类型还远远不足
因为刚刚也介绍了
它的这个类型
是非常多种的组合
那么我们迫切的需要
需要新型的石墨烯器件
于是我提出了
我的博士论文的题目
那么就围绕这三个部分进行研究
第一是如何拓展
新型石墨烯器件的类型
第二是如何优化器件的制备工艺
第三是如何揭示它的工作机制
那我的研究架构
从More Moore方向去研究
基于石墨烯的
新型的Transistor和Memory
那么做一个scaling down的研究
那么同时还会研究
这个More than Moore方向
去研究新型的石墨烯器件
以这个sensors和actuators为主
那么最后通过一种
新型的片上集成工艺
将这些新型器件
进行片上的集成
那么由于这个器件类型非常多
我在此将主要介绍四类
比较有代表性的器件
首先将介绍
新型的石墨烯声源器件
看一下我们这个
研究思想这个提出
那么传统的发声器件
它存在一个非常共性的问题
就是存在这个谐振的peak
那么在远离谐振峰的位置
就会出现明显的声音衰减
那么2008年的时候
有一个CNT扬声器被研究出来
那么它们可以具有
非常宽的这个频谱的优势
然而CNT
它存在三分之二的
半导体特性的CNT
因此它的这个驱动电压
会大于100伏
我们在国际上
首次实现了这么一个
石墨烯的声源器件
那么它具有低驱动电压的特点
那么发表在ACS Nano上面
我们来看一下
这个传统的发声器
那么传统是基于这种电磁式发声
那么它由这个磁体、音圈
和这个纸盆构成
通过这个纸盆振动
那么推动空气发声
而我们这种热声器件
它本身是无振动的
我们来看一段视频
来看一下它这个工作机制
那么这是一个加热导体
那么当我们给它通入
这个周期性的电的时候
那么它表面的温度
就会周期性的波动
而这个周期性的波动
就会加热它表面的空气的
一个薄层的分子
进行周期性的热膨胀和收缩
而进而产生声音
那么从这个机制来看
它本身是一个不振动的一个发声
因此它有希望去避免这么一个
存在谐振的问题
于是我们首先研究了
多层石墨烯声源器件
我们采用了多层石墨烯
它具有较高的机械强度
同时我们采用了
孔径30微米的滤纸
它能够有效的隔绝热的泄漏
以提高声压
这是我们制备的器件的工艺流程
这是我们最终
制备的器件的实物图
这是声学的这个理论公式
我们可以看一下
其中有一项是材料因子
这一项代表的是表面热容量
那么表面热容量越小
代表热量可以更快的被散发出去
以产生声音
那么这一项等于dρCP
那么d这一项代表的是厚度
那么最终我们可以得出
声压和厚度成反比
这意味着厚度越薄声强越大
那么我们来看一下测试结果
我们采用了三个样品
100纳米、60纳米和20纳米的
石墨烯样品
我们可以看到
随着层数的逐渐减薄
这个声强是逐渐的增加
同时它在这个15kHz到50kHz
都具有非常平坦的声输出
因此可以应用到实际的这个
可给人听
以及未来可以给动物听
为了证明
它是基于一种热声效应
我们对它进行了温度的测试
我们可以发现
当我们提高输入的
声频率的功率的时候
它表面的温度
也会逐渐的升高
这与我们的理论公式
也是非常吻合的
我们来看一段这个动态视频
来看一下它表面的温度的
波动的情况
这个时候我们将
输入的电的频率降低到1Hz
我们来看一下
它表面的这个温度
可以看到它表面的温度
是在周期性的升高和降低
这表明了跟前面的热声效应
是吻合的
那么接下来我们建立了
它的热声的理论的模型
同时也仿真了
它的声压与厚度的关系
可以看到厚度越小
那么声压越高
同时还对这个已经测试结果
进行了拟合
还仿真了它的理论声压
以及有限元的分析
那么刚才也提到
层数越薄 声压越高
因此我们接下来采用了
单层石墨烯
它能够进一步的降低表面热容量
以提高声压
我们采用了50纳米孔径的AAO
作为这个基底
它可以有效的减少漏热
这是我们制备的工艺流程
这是我们的一个SEM
可以看出它成功的
悬空在这个AAO上
我们来看一下这个测试结果
那么单层的石墨烯
它具有最高的这个声强
同时我们通过理论分析可以看到
那么由于单层石墨烯
具有最小的表面热容量
因此它对应的这个声强
也是最高的
同时我们将我们已有的声强
与已有的文献进行对比
可以看到由于我们单层石墨烯
具有最小的表面热容量
因此它的这个声强
也是文献报道中最高的
同时由于单层石墨烯
具有非常高的透光率
因此它可以和这个LCD集成
以同时实现这个发声和显示
那么我们这个研究工作
被Nature出版集团
NPG Asia Materials以这个Graphene rocks为题
进行了亮点的报道
那么他们在这个报道中
也多次强调了
我们这个在石墨烯领域的
这个原创性的工作
同时我们这个工作
也受邀成为Nanoscale这个封面论文
那么这个石墨烯领域
这个权威人物Rodney Ruoff
那么他们在我们的工作基础上
也研究了这个Transparent
这么一个单层的石墨烯sound source
那么在他的论文中也强调了
我们的这个多层的石墨烯
与单层石墨烯的
这个工作的原创性
那么同时这个段镶峰教授
那么他们在这个
石墨烯综述论文里面也引用了
我们石墨烯的声源器件的
这个工作
那么接下来我们还研究了
柔性、透明、大面积的
单层石墨烯声源器件
我们可以看到
这个石墨烯的薄膜是非常透明的
同时我们还制备了
二到六层的石墨烯薄膜
那么通过透光率测试
可以发现它这个透光率
单层为这个2.6%
同时与这个
Roll-to-Roll石墨烯相比
它这个方阻更加这个低一些
那通过这个层数的测试可以发现
单层石墨烯
具有最高的声压级
那么随着层数的增加
它的这个声强是逐渐下降的
那么接下来我们又提出了
基于石墨烯的新型的耳机
那么大家知道
1948年Bell lab第一次发明了
石墨烯的晶体管
那么1951年的时候
Raytheon他们提出了
集成电路第一个产品助听器
因此大家注意到
集成电路的第一个应用
来自于声学领域
那么石墨烯在2004年被发现
而我们在这个首次
在这个研究了
石墨烯的这个耳机的原型
那么我们认为石墨烯耳机
有望成为石墨烯的第一个产品
这是我们传统的这个助听器
这是我们研究的石墨烯耳机
这是我们提出的一个未来的
一个石墨烯的耳机的概念图
那么我们采用了这种laser-scribed技术
可以制备
晶圆级的这么一个石墨烯
这是制备出的一个晶圆级的石墨烯
那么它只需要25分钟
这是我们测试了这么一个频谱图
可以看到我们对比商用耳机
我们石墨烯耳机的
这个声频谱更加的平坦
同时我们配备合适的驱动电路
以及这个合适的
这么一个输入的这个方式
我们可以将它连接到笔记本电脑
或者手机以实现音乐的播放
我们来看一个这个实用的演示
这是将我们的石墨烯耳机
接上USB的这个power
这是我们的一个麦克风
这是我们的石墨烯耳机
接下来我们可以
听到音乐开始播放
这就是前一段时间
比较火的一首《江南style》
那为了证明它是石墨烯耳机
我们这边的耳机壳打开
大家可以进一步的看清楚
它表面的情况可以看到
它是一个超薄的
一个通过激光直写的方式
制备的一个多层堆叠的石墨烯
那么这个材料是一个超薄的结构
那么靠近这个麦克风
也可以更加清晰的听到音乐
我也有实物等会儿
可以给评委专家可以去看一看
好
那么由于石墨烯具有
非常平坦的声输
不仅可以覆盖人耳的听域
而且还可以覆盖超声频段
而动物对这个超声频段
是非常敏感的
于是我们将这个
石墨烯耳机给这个狗戴上
我们也验证了
这么一个石墨烯耳机
控制狗行为的这么一个实验
我们给狗戴上
这么一个石墨烯耳机
我们开始没有放出
任何的这个声音
然后我们给它放音
我们可以看到狗的耳朵动了一下
然后站起来
这表明狗能够接
收到我们的声音信号
能够它能够被控制
那么这是我们建立的一个
石墨烯耳机的
一个声学的理论模型
它是由这个热量转化成
一个声场的过程
我们的理论和实验的
这个吻合是非常好的
同时我们理论预计
它的声场可以高达1兆赫兹
这是我们仿真不同声频率下的
声场辐射可以看到声频率越高
则声场越加尖锐
同时我们还制备了
单层透明的这么一个石墨烯耳机
我们对比了单层的
石墨烯耳机与商用耳机
可以发现单层的石墨烯耳机
也具有非常平坦的声学输出
同时它的频率可以高达200kHZ
那么我们做一个小结
我们首次将这个石墨烯
拓展到这个声学领域
发表在ACS Nano和Nanoscale上
我们首次实现了石墨烯耳机
它在ACS Nano和IEDM上
第二部分我将介绍
新型石墨烯阻变存储器的研究
这将分两部分进行介绍
第一部分是低功耗的RRAM
第二部分是Fin结构RRAM
那么首先介绍低功耗RRAM的
研究思想的提出
那么传统的MIM结构的阻变存储器
存在一个非常严重的问题
就是RESET current过大
你可以看到这是一个RRAM
那么它的RESET current
可以高达0.2毫安
那么我们首次将石墨烯
引入了阻变存储器界面
那么很明显的实现了
它的这个RESET current的降低
那发表在Nano Letters上
这个工作是和斯坦福的
Philip Wong进行合作的
那么首先我们通过CVD法
制备了3厘米见方的单层石墨烯
我们将这个石墨烯引入到
这个氧化铪和氮化钛这个界面中
我们有一个Wafer级的制备
那么含有石墨烯这块区域
我们称之为G-RRAM
不含有石墨烯区的
我们称之为C-RRAM
这是我们的工艺制备的流程
我们可以通过测试发现
引入石墨烯之后
RESET current的电流下降了22倍
同时我们算功耗的话
可以下降约47倍
我们分析一下它的低功耗的机制
那么没有引入石墨烯的C-RRAM
那么它的low resistance state
电阻只有40kΩ
在引入了石墨烯之后
它的这个石墨烯和这个氧化铪
界面处的电阻会大于900kΩ
那么同时我们也分析了
它的这个filament
产生的时候的温度的
一个分布情况可以发现G-RRAM
因为它的温度会集中到
石墨烯的界面处
接下来我介绍一下
石墨烯的Fin结构的RRAM
那么传统的RRAM
是基于这种平面的一种MIM结构
那么我们借鉴了
Fin-FFT的设计思想
我们提出了石墨烯的
这个Fin-RRAM结构
它具有scaling down潜力
以实现高密度存储
这个论文是发表在Nano Letters
这部分也是同斯坦福Philip Wong
进行合作的成果
我们采用laser-scribe技术
制备了这么一个
石墨烯的作为底电极
然后我们接下来沉积了
这么一层氧化铪作为阻变层
最后我们制备上银作为顶电极
这是制备的工艺流程
我们看一下剖面SEM图
可以看到底下的
底电极是多层构成的rGO
那么它是由多层石墨烯构成
中间一层很薄氧化铪
上面有银
那么我们通过这个EDX
可以确认每个元素的成分
以及它的位置
接下来我们看一下
它的器件的性能
这个器件的性能具有Forming-Free
可重复性非常好
同时可以体现多值存储
它的高低阻态的分布非常均匀
窗口有10倍
同时可以保持10的4次方
接下来我们做一个小结
我们将石墨烯引入
到上电极与阻变界面层中
降低的功耗达47倍
同时我们还实现具有Fin结构的
柔性的这么一个
石墨烯阻变存储器
它具有这么一个scaling down的潜力
那么接下来我们将介绍
石墨烯的发光器件
那么现有的发光器件
一般可以分为无机发光和有机发光
那么传统的发光器件
比如说无机发光LED
那它需要通过能带工程
去控制你的发光的波长
比如说这个去年
刚刚获得诺贝尔奖
它授予了这么
一个蓝光LED的研究者
他们就是在这个蓝宝石上
那么先沉积了一多晶的氮化镓
那么才能沉积制备出
这么一个单晶的氮化镓
才能获得这么一个
高效的蓝光LED
那么我们首次构建了
这么一个GO和rGO的
这个复合的发光体系
我们直接通过栅极
就可以调制这么一个发光的颜色
那么这个成果也被
Nature Communications接受
审稿人也认为
这是一个潜在具有影响力
和这个那么一个新的
一个发展方向的一个工作
那么接下来我进行详细的介绍
那么首先我们
通过这个激光直写法
制备了这么一个栅控的
这么一个发光器件
同时我们通过这个电退火的方式
我们将gap暴露出来
那么我们可以看到中间有一层
这么一个emission layer
那么它是由这个
半还原态的rGO构成
那么在光学照片上我们可以看到
它表面是五彩斑斓的
那么这相当于
是在这个GO的bandgap里面
嵌入了非常多的分立的能级
而这些这么多的
分立的能级就会发射出
不同的颜色的这个光
那么同时我们通过
XPS确认了界面层的存在
通过这个IV测试
我们发现这个IV曲线符合Poole-Frenkel的
这么一个电学的输运关系
同时我们也进行这个温度的测试
我们也发现了它的这个logI
和根号下V保持这么一个线性关系
因此可以确认它那个发光机制
是符合这么
一个Poole-Frenkel的一个效应
那么同时我们采用栅极电压
来调制了它的发光颜色
在零栅压的时候它发的是红光
那么栅压为30伏的时候变成绿光
那么栅压为60伏的时候变成蓝光
我们来看一下
这个栅控发光的这么一个视频
那么开始的时候它会产生红光
那么随着我们栅极增加
它会变成绿光
它就要变成绿光
它最后会变成蓝光
同时我们通过调制栅压
可以非常精确的调制它的
这个发光波长的位置
以实现这么一个栅控
发光的这么一个LED
同时我们的栅压还能调控PL光谱
最后我们通过这个PL mapping
也确认了这个EL和PL的position
它是对应的
最后我们也计算了这么一个发光效率
那么在大电流下
它的发光效率会达到0.6%
并趋于饱和
同时通过我们调制栅极电压
我们可以优化它的效率达到0.85%
那么这个效率是MoS2
schottky junction发光效率的100倍
是WSe2 PN结发光的10倍
也表明我们这种二维发光系统的效率
在目前已有水平中还是较高的
最后我们介绍一下这个发光的机制
因为它是基于这个Poole-Frenkel效应发光
它在强电场下
那么通过这个高速的
这么一个空穴
那么将这个分立能级中的
电子激发出来
使得电子和这个空穴复合以发光
那么当我们调制栅极电压的时候
石墨烯的费米能级会逐渐的升高
这会导致非占满态的
分立能级的这个位置
会更加的变的更高
那么从而导致
我们需要更大的能量
才能激发出电子
来导致它辐射出来的
光的波长会更大
那么我们来做一个小结
我们首次在纯的
石墨烯的材料体系中
观察到电致发光现象
并且通过可以通过栅极电压调制
它从红光到绿光到蓝光
那么第四部分我们将介绍一下
石墨烯巨压电效应
石墨烯一直被认为
是一个无偶极子的二维薄膜
它的晶格内是完全对称的
那么有理论认为
可以通过引入一个不对称的结构
来打破它中心对称
以实现压电特性
那我们首次通过施加应力的方式
实现了分子级的极化
那么产生了这么一个巨压电特性
那么它的压电系数可以高达37nCN-1
那么比传统的压电体材料
要高两个数量级
这个成果是发表在Nature出版集团的
NPG Asia Materials上
那么我们通过AFM探针去研究石墨烯
薄膜的压电效应
在这个300纳米的二氧化硅上
我们光刻了这么一个5微米直径圆孔
我们通过这么一个机械剥离的方式
获得了单层的石墨烯
并且制备上了电极
我们来看一下它的栅控特性
当我们加较小的正栅极电压的时候
石墨烯薄膜会感应出电子
这个时候它实际上是一个吸附的
一个静电吸附作用
而当我们逐渐提高栅极电压的时候
当它这个电压较大的时候
它薄膜会鼓起来
那么这个时候就是由于它产生了
压电电荷会积累很多空穴
那么正电压和空穴之间相互排斥
会使得这个石墨烯薄膜会鼓起
另外我们还观察了这个比较特殊的
这个电学输运特性
当我们增加这个AFM探针的
下压力度的时候
那么它的这个开关比会逐渐增加
同时这段区域
会有一个反常的下降区域
它不符合这个在石墨烯的
这个传统的双极型输运
这是由于在正的栅压较大的时候
会产生更多的空穴
这个压电空穴
这压电空穴
会抵消原来产生的电子
使得它的这个输运会往下走
最后我们也计算
压电这个系数
通过我们结合这个压电矩阵
以及石墨烯的量子电容
我们可以得到它的压电系数
为37nCN-1
可以看到PZT对于这种比较大的
压电系数体材料
看到压电系数只有0.45nCN-1
那么它可以表明我们的压电系数
比这个传统压电材料
要高两个数量级
同时我们还制备了这么一个
纳米能量的一个收集器
我们匹配了合适功函数的这个金属
同时我们可以看到
这个悬空的石墨烯
由于受到应力的作用
那么它的这个bandgap被打开
因此它这个区域
会产生一个空间电荷区
那么悬空的石墨烯
会聚集很多的空穴
那么支持的石墨烯
会聚集很多的电子
那么我们再给它
施加这么一个力的时候
它可以产生开路电压
以及短路电流
同时我们给它施加力的时候
它的电阻也会发生变化
可以作为一个力学的一个传感器
这是我们测得的一个能量转化效率
为2.2%
那么压力的这个灵敏度是0.2kPa-1
我们做一个小结
我们首次在石墨烯中观察到的
这么一个巨压电效应
这是我们测试的
一个石墨烯压电系数
它比体材料PZT那么高82倍
比这个PZT薄膜要高1850倍
那么它有望应用
在这个能量这个传感领域
最后做一个总结
我们以这个石墨烯
这个新型微纳电子器件的
研究为核心
从它的这个材料制备
和加工展开了一系列的研究
那么取得了这主要
是这四方面的研究成果
第一是我们首先
实现了这个石墨烯的声源器件
实现了它具有柔性透明的
新型的石墨烯耳机
我们还探索了低功耗的
石墨烯阻变存储器
并且也实现了具有Fin结构的
石墨烯阻变存储器
第三是我们首次在纯的
石墨烯材料体系
观察到电致发光现象
并且我们也提出了
一种新型的栅控的
这么一个发光的器件
最后我们在单层的石墨烯
观察到巨压电效应
那么这是已经发表论文的情况
那么以第一作者发表SCI论文20篇
那么EI论文7篇
以及12篇共同第一作者论文
那么申请的发明专利是3项
那么已授权1项
代表性重要国际论文有以下这些
代表性的这个
重要国际学术会议论文有这些
那么我来做一个未来工作展望
那么未来的话我们
将探索纳尺度下的石墨烯器件
并且我们将尝试
采用更小光斑的激光系统
以实现这么一个集成的
这么一个石墨烯的片上集成芯片
将这个数字模拟
以及互连、存储、LED和Sound
进行这么一个片上的集成
最后也要感谢这个
国家杰出青年基金的支持
以及教育部博士学术新人奖的支持
也要感谢国际合作包括斯坦福
伯克利Lab还有耶鲁
这么一个国际的合作
最后也要感谢任天令教授
这个博士的五年来给我的这个
不管是这个做人做事科研
各个方面给我的这个教诲
让我受益终身
也感谢现场的各位老师指导
谢谢大家
-化工系-侯瑞君
--答辩人侯瑞君简介
--论文摘要
--答辩陈述
--问答及答辩结果
-化工系-靖宇
--答辩人靖宇简介
--论文摘要
--答辩陈述
--问答及答辩结果
-化工系-申春
--答辩人申春简介
--论文摘要
--答辩陈述
--问答及答辩结果
-热能系-周会
--答辩人周会简介
--论文摘要
--答辩陈述
--问答及答辩结果
-航院-李京阳
--答辩人李京阳简介
--论文摘要
--答辩陈述
--问答及答辩结果
--导师点评
--个人感言
-土木系-安钰丰
--答辩人安钰丰简介
--论文摘要
--答辩陈述
--问答及答辩结果
-机械系-刘向
--答辩人刘向简介
--论文摘要
--答辩陈述
--问答及答辩结果
-机械系-白鹏
--答辩人白鹏简介
--论文摘要
--答辩陈述
--问答及答辩结果
-自动化系-黄高
--答辩人黄高简介
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