当前课程知识点:创新材料学 > 半导体和集成电路材料 > 第一讲 集成电路与硅晶圆 > 何谓集成电路
那么现在呢
我讲第一节
什么叫做集成电路
什么叫做集成电路
这里边呢就讲讲
从这个分立元件到集成电路
它的这个
我们现在讲
什么叫做集成电路呢
还是从材料的角度
从入门 这里边的话呢
没有很复杂的推导
没有很复杂的公式的推导
好 什么叫做集成电路
集成电路呢
是具有所需要的电路功能的
一个微结构和微器件
注意它是个微结构
或者微器件
当然你要有特定的电路功能
那么要通过一定的技术
把这个电路里边
所需要的那些
有源器件是什么呢
三极管 二极管
那些无源器件是什么呢
是电阻 电感 电容
通过一定的技术
把这些有源器件和无源器件
制作在一个或者多个晶片上
晶片上 或者说呢
制作在绝缘的这个基板上
基板上完成一个电路功能
那么这个集成电路本身呢
由于它是一个微型的
一个器件是吧
它做在一个
很小的一个基板上
那么它形成了一个
一个器件或者结构
在这个器件结构当中呢
各个元器件呀
它都有固定的一种形式了
它集成在一块了
因此呢它的什么呢
重量轻 体积小
引出线和焊接点比较少
可靠性高 便于一块制作
因此它价格比较便宜
所以这个集成电路呢
目前在各行各业
都得到普遍的应用
我们现在的话呢
这个图就表示
过去的分立元件所组成的电路
跟现在我们集成电路
大致的一个比较
大致的一个比较
从这个图上
过去是什么样子
现在是什么样子
当然现在集成电路
也在突飞猛进的往前发展
它表现在什么形式呢
就是说它的
特征线宽越来越窄
储存密度越来越高
它为什么要实现飞速的发展
这里边的话呢
有工艺的基础
也有材料的基础
我们看看这个图所表示的
过去呢就是分立元件
把它插在印制电路板上
那么现在呢
把一些有源器件或者无源器件
集成在一个晶圆上
或者是一个晶片上
我们看看可以做比较
那么过去的话呢
我们年长的人
都做过半导体收音机了
半导体收音机
那时候都是插入式的
把电阻 电感 电容
三极管 二极管
都插在一个印制电路板上
我们看看当时的体积
我们看这几个信号
插在一块的话呢
它是10到20个厘米
那么现在呢
我们要把它集成在
以微米量级的
这个微米量级的范围内
微米量级的范围内
我们可以看到
如果是到微米量级
我随便举这么一个例子了
过去是10到20厘米
现在呢7到10微米
它的尺寸变成原来的多少呢
是两万分之一
它的面积变成多少呢
是四亿分之一
四亿分之一
那么它的厚度的话呢
是变到二三百个微米以下
我们可以看到
它这个体积变小
它的质量变小
它的接头变少
它的可靠性变高
从这个上边的话呢
可以看得非常清楚
那么反过来
我们再讲什么叫集成电路呢
首先这个集成电路
它是一个微结构 微器件
经过一定的工艺
把它所需要的三极管 二极管
电阻 电感 电容
制作在一小块
或者几小块晶片上
或者说把它制作在一个
绝缘的一个基板上
完成整体的功能
可以看到那个集成电路呢
本身它对刚才我们讲的
减小体积 减小质量
提高可靠性
这个效果是非常非常显著的
我们知道要做集成电路的话呢
首先要做到拉个单晶
拉个单晶以后的话呢
要切片
切成片以后的话呢
制作芯片电路
芯片电路布置好的话呢
要划片 划片的话呢你看看
一个15微米见方的一个
一个小晶片
这个小晶片的话呢
要封装在一个什么呢
一个载体上
封装在一个载体上的话呢
我们看到的是一个元件是吧
有QLP的 这么引线的
也有插入式的
也有下边是一个焊球的
表面上看呢
是个元器件
但是它的内容的话呢
它的内部
它的关键的部位
就是我们所说的下边这个
芯片的这个断面结构
芯片的这个断面结构
那么现在我们老说 到
比如说到0.25微米
190纳米嘛 160纳米嘛
到32纳米
现在24纳米
现在甚至到 5到7纳米的
这个样子是吧
那么指的是什么呢
指的就是这里边的栅长
栅长或者说
或呢栅的宽度 栅的高度
或者栅长
那么它这个尺寸的话
是不断的变小的
如果这个硅圆片的直径
是200个厘米
或者现在典型的
是300厘米了是吧
八寸的 现在是12英寸的
是300厘米的样子
我们把它划片裂片
变成15英寸见方的一个
变成一个小的晶片
封装在这个封装体上
我们看到的话呢
是这个元器件
但是内部呢
它的尺寸是非常精细的
那么精细到什么程度呢
就是我刚才讲的
0.25微米
190纳米 160纳米
一直到现在16 14纳米
一直到 5到7纳米
现在飞速地往前进展
那么集成电路里边
最关键的部件的话呢
是晶体管
这个晶体管呢
现在用得比较多的
集成电路用的比较多的
叫做MOS器件
什么叫做MOS器件呢
M代表金属 O代表氧化物
S代表半导体
是Metal Oxide Semiconductor
它组成了一个三极管
组成了一个晶体管
这个晶体管 MOS晶体管
或者叫做三极管 可以比做
通过设有水闸的一个水路
我们看看左边是一个小水库
那么右边的话呢
是一个泄流孔
泄流孔这边的话呢
还有个水泵
上边的话有一个闸门
如果说你闸门不打开的时候
你这个水泵爱怎么转
你只能是空转
它没水过来
你如果把这个闸门往上提
一旦提 往上提
提的话呢
有一个阈值
一旦超过这个阈值
出现一个空隙
这个水的话呢
就会流过来
水就会流过来
如果你这个泵
再加上这个泵
再一旋转的话呢
流的这个水量会增加
那么从这个图可以看到呢
就是说我们如果
把上边提这个闸叫做栅极
把这边这个水的话呢
叫做源极
把泵这边的话叫做漏极
那么这个MOS器件的话呢
就是由三部分所组成的
一个是源极一个是漏极
一个是栅极
看看我们起的作用
注意这个图上所起的作用
栅极是打开阀门的
这个阀门
可以打开的大打开的小
这个漏极的话呢
它如果说是
比作一个水泵的话
水泵的转速的高低
对这个流的水量的话
也得有一定的影响
也有一定的影响
刚才呢举了一个实例
我们现在呢
用这个具体的结构图
结构示意图来比较一下
把MOS三极管
起这个名字呢
为什么叫做MOS呢
注意它这里边有个氧化物
这个氧化物在哪儿
氧化物在栅极跟沟道之间
它是不导通的
一定有氧化物给它隔离
那么金属在哪儿呢
金属有三部分有金属
一部分在源极
上边一定要有金属
要金属把它引出来
在漏极这边的话呢
也有金属
要用金属的话呢
要把它引出来
栅极上边有金属
源极上边有金属
漏极上边有金属
因此的话呢
它前边有个M
我们讲这个O是个氧化物
氧化物在哪儿呢
一定在栅极跟半导体沟道层
这个地方有一个绝缘层
有一个绝缘层
那么源 栅 漏
那么semiconductor在哪儿呢
semiconductor就在栅极的底下
底下是个氧化层 绝缘层
绝缘层下边就是一个沟道层
这个沟道层呢就是半导体材料
当然源和漏本身
也是个半导体层
注意这个半导体层跟金属接触
栅极的话呢
它是个多晶硅
当然这个多晶硅的话呢
应该讲它也是个半导体层
也跟金属接触
我们可以看到MOS器件
它是由金属 氧化物 半导体
三种材料所组成的
我再重复一遍
金属在什么地方
在源极上边要有金属连出来
漏极上边要有金属连出来
栅极上边要有金属连起来
那么源极和漏极之间
是一个半导体沟道层
叫做semiconductor
半导体沟道层跟金属
栅极金属之间
说栅极多晶硅之间
一定要有一个什么呢
要有一个氧化层给它隔离
它是隔离的
应该说它是不导电的
它是隔离的
那么MOS器件的话呢
又叫做场效应管
为什么叫做场效应管呢
这个场效应管就是说
它栅极的电场
栅极的电场来控制半导体沟道
是不是打开
它打开量是多少
就相当于什么呢
刚才我们举例子讲的那个闸门
那个闸门
所以MOS栅极管各部分
由哪位学者命名也无从查证
从模拟各部分的作用看
源 栅 漏的名称
是相当 相当科学的
相当 相当科学的
我们平常老讲的
特征线宽
或者叫做设计标准是吧
现在老讲
我现在进入到什么16纳米了
14纳米了
我现在进入到7纳米了
过去32纳米
到底指的是谁呢
就指的这个图上这个L
这个L是什么呢
就是沟道长度
沟道长度
当然你这个扩散层的
这个深度的话呢
跟沟道层在同一个数量级
但是严格地讲的话呢
我们说那个特征线宽
那个设计标准指的是谁
就指的这个L
我们这是三极管的电流
电压特性
注意 我们这个MOS场效应管
在工作的过程当中呢
我们可以这样理解
就是说把基板电极
注意基板电极
和源电极给它接地
源电极 基板电极
给它接地
注意 我讲义上呢
写错了一个地方
我说是把基板电极
和栅电极接地
这个错了
应该是基板电极和源电极接地
在基板电极和源电极
接地的情况下
我们看看我们需要的是漏电流
注意这个漏电流呢
它跟两种因素有关
一个是跟谁有关系呢
一个是跟栅电压有关系
栅电压
栅电压高低它不一样
还有一个的话呢
跟漏电压有关系
我们说把这个漏电压呢
比作刚才那个示意图的水泵
把这个栅电压呢
比作那个示意图的那个闸门
因此我们控制漏电流
我们所需要的是漏电流了
我们控制这个漏电流呢
通过两个参数来控制它
第一个是栅电压
第二个的话呢是漏电压
可以实现对于它的控制
当然了我们从电流电压图上
可以看到它分 非饱和区域
和饱和区域
非饱和区域和饱和区域
各有各的用途
就看你实际应用
这个怎么情况了
注意 有一条就是说
它漏电流由谁所控制呢
是由两个电压来控制的
一个是栅电压
一个是漏电流
这个是我们说场效应管
或者MOS管的工作原理
我们几十年以前
刚发明三极管晶体管的时候呢
我们用的大部分是双极性型
或者是双极型的叫做晶体管
它是分什么呢
分三极嘛
一个是集电极 一个是基极
一个是发射极
它是
我再说一遍
一个是集电极
一个是基极 一个是发射极
把它叫做什么呢
叫做双极性型的
我们现在集成电路里边
一般不用这种双极性型的
我们用什么呢
用刚才讲的用MOS器件
用的比较多的是CMOS
有NMOS PMOS CMOS
那我们为什么集成电路里边
大部分用的是MOS器件
而不是过去的双极性型的呢
这里边呢主要是
它有各有优点各有缺点
各有优点 各有缺点
你们看从用途上讲
你CMOS器件
它用在存储器
微处理器 逻辑元件
那当然大规模集成电路
大部分用的这种
那么双极性型的呢
它用在无线电传送
它的特点速度快
从高频率 低噪声
高放大倍数等方面考虑
占有优势
但是它结构复杂
微细化集成度比较难
它的价格比较高
特别是功耗比较大
它的结构复杂
微细化集成化比较难
那么微细化制造
超大规模集成电路
或者微细化就有困难
另外它功耗比较大
功耗比较大
而且价格比较高
因此大规模集成电路里边
集成电路里边
很少用双极性型的
那么CMOS器件
它有什么特点呢
它结构简单
易于实现微细化 高集成化
功耗小 价格便宜
通过微细化
易于实现高速化
当然它也有一些缺点
但是我们集成电路里边
之所以用CMOS器件
主要是关键是什么呢
结构简单 易于实现微细化
特别是它的功耗小
价格又比较便宜
因此我们集成电路里边
大部分用的是CMOS器件
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