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铟镓锌氧化物(IGZO)液晶在线视频

铟镓锌氧化物(IGZO)液晶

下一节:液晶投影仪—前投式和背投式

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铟镓锌氧化物(IGZO)液晶课程教案、知识点、字幕

那么现在我就讲另外一个问题

就是铟镓锌氧化物

就是氧化铟镓锌这种氧化物

来做薄膜三极管

氧化铟镓锌

或者叫做铟镓锌氧化物

薄膜三极管

那么我们在做氧化铟镓锌

薄膜三极管以前

我们反过头来再看看

所谓的高温多晶硅低温多晶硅

非晶硅这三种薄膜三极管

它的特性分别是什么样子

我再说一遍

这是高温多晶硅

是High temperature polycrystal

第二个话就是低温多晶硅

low temperature polycrystal

第三个是Amorphous silicon

thin film transistor

我们看看这三种它到底有什么区别

那么首先

它的制作温度是不一样的

那制作的基板温度

高温多晶硅

它的制作温度是在600

大于600度

低温多晶硅它小于600度

那么Amorphous silicon thin film transistor

只要是350度左右

我前面已经讲过

高温多晶硅 低温多晶硅

都可以做CMOS

可以做NMOS PMOS

都可以做CMOS

但是低温多晶硅它只能做NMOS

那么再看看电子迁移率

它是300到400

高温多晶硅是300到400

而低温多晶硅

是3到300

而非晶硅是0.4到1

那么我们看看三极管的尺寸

就是特征线宽了

我们指的特征线宽

高温多晶硅可以小于0.1个微米

那么低温多晶硅到1.5到4个微米

而非晶硅是4个微米

那么从这个角度看

就是说高温多晶硅跟低温多晶硅

都可以制作很多的

具有很多功能的电路

比如说移位寄存器

图像存储器 图像处理器等等

那么非晶硅只能做什么

只能做普通的

控制电路

高温多晶硅由于它的制作温度很高

要大于600度

因此它的基板必须得用

石英玻璃基板

而低温多晶硅

是在原来的非晶硅的基础之上

经过激光扫描局部的结晶化

变成多晶硅

因此它们高温多晶硅

得用石英基板

后两者

用普通的无碱玻璃基板

就可以了

那么我们看图像分辨率

高温多晶硅可以到400PPI

那么低温多晶硅

可以到200到300

那么普通的非晶硅

当然150左右

意思说高温多晶硅

它可以实现精细化

而非晶硅实现精细化的难度

比它们两者都要大一些

我们现在就看一看

所谓的铟镓锌氧化物

做薄膜三极管

它为什么选择铟镓锌氧化物

做薄膜三极管

选择铟镓锌做薄膜三极管的时候

它的制作工艺

跟多晶硅

低温多晶硅的制作工艺

或者是它的结构大同小异

你们看看这是自整合型

顶栅IGZOTFT的薄膜结构

它也是一个栅绝缘膜

上边是个栅电极

是个什么

是个顶栅的

这是源极 这是漏极

那么源极 漏极

它的沟道层用的是什么

用的是氧化物半导体

什么氧化物半导体

就是我们讲的

就是说铟镓锌氧化物

氧化铟镓锌这种氧化物做活性层

做沟道层的

做薄膜三极管

有几个优点有几个好处

那么一个好处就是它的

它的电子迁移率

你们看从下边表当中

可以比较一下

这是非晶硅这是多晶硅

这是氧化铟镓锌

从电子迁移率来讲

它介于多晶硅和非晶硅之间

它易于实现大型化

它的价格也比较便宜

特别适用于什么

适用于中大型的OLED

甚至液晶显示器

它的电子迁移率跟非晶硅

比较起来

它是很高的

同时它的的漏电流是极小的

所以

用氧化铟镓锌薄膜三极管

做驱动元件

它跟用一般的非晶硅比较起来

它有三大优点

第一大优点

它可以提高精细度

图像可以做的更小

第二条由于它的漏电流非常低

因此

它的图像质量非常高

而且它的驱动频率可以变低

原来的驱动频率

比方说几百周

几十周 几百周

几周 几十周就可以了

驱动频率比较低

漏电流非常小

因此

图像分辨率这些质量非常好

第三个可以做精细化的控制

所以用氧化铟镓锌

做薄膜三极管

我刚才讲了

一个是突然它的图像分辨率

第二个

是漏电流比较小

它的驱动频率可以变低

第三条就是说它便于精细化控制

特别是它的电子迁移率

跟非晶硅比较起来

是比较高的

因此它控制

就是说在电压控制的时候

沟道电流比较大

那么这种优点在

当然对液晶驱动

液晶因为它是个电压器件了

在这方面表现的优越性

不是很大

特别是在OLED这种

电流元件的工作的情况下

氧化铟镓锌薄膜三极管

就更显得它的优越性

那么这是下边图

就是自整合型

氧化铟镓锌的制作工艺

你们看它制作工艺

有这么几条

首先在玻璃基板上

氧化物半导体

沉积氧化物半导体

这都是已经干法刻蚀

原来什么沉积薄膜

什么干法刻蚀

我们就看它的结构

这是氧化物半导体

什么氧化物半导体

氧化铟镓锌半导体

这是栅绝缘膜

这是栅电极

那么就做出谁来

就做出栅极附近的了

然后就做这种做铝

沉积铝

沉积完了铝就表面氧化

表面一氧化

栅绝缘膜就有了

有了栅绝缘膜

有了栅绝缘膜以后

制作

下边制作第一组区域

然后给它开孔

开了孔以后

就是把漏电极连接起来

这是源电极连接起来

漏电极连接起来

最后得到的结果

上边是栅 源 漏

中间地方就是栅

就是什么

就是沟道层

沟道层是氧化铟镓锌沟道层

它用氧化铟镓锌

活性层或者沟道层

做薄膜三极管

它可以在原来的多晶硅

薄膜三极管的基础上

那些设备 那些生产工艺

稍微变化一点

就可以实现氧化铟镓锌的

这种氧化物沟道层的薄膜三极管

那么现在世界上很多的

大型企业都建立这样的生产线

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