当前课程知识点:数字集成电路分析与设计 > Combinational Logic Circuits II > 1.Static CMOS Design III > Video
接下来我将介绍有比逻辑
包括伪NMOS
和DCVSL(即差分层叠电压开关逻辑)
我先给你们回顾一下
之前介绍的无比逻辑
你们还记得我上一堂课提到的吗
无比逻辑的逻辑电平
和器件相对尺寸无关
所以晶体管可以是最小尺寸
从一种状态
到另一种状态的变化
也不取决于器件相对尺寸
这是无比逻辑的定义
还记得吗
我给你们看过了这个例子
我告诉过你们这是钟控RS触发器
在这种情况下
我们需要认真地设计
M8和M7的尺寸与M4的比
这样我们才能保证
下拉网络比上拉网络强
这样这个电路的功能才是正确的
这是个有比逻辑
对于互补CMOS电路 它的特性有
鲁棒性
无比逻辑
满逻辑摆幅
高噪声容限
对称的VTC
没有静态功耗
如果忽略门翻转时的过渡效应
实现一个N输入逻辑门
需要的晶体管数目是2N
因为下拉网络有N个NMOS晶体管
上拉网络有N个PMOS晶体管
因此面积
和总电容相对很大
然而如果我们设计
有比逻辑而不是无比逻辑
我们有一些有点
我们的目标是降低实现
给定逻辑所需的晶体管数目
因此我们可以减少面积
降低成本
我们采用的方法
是用NMOS晶体管
组成下拉网络实现逻辑功能
然后用简单的负载器件
实现上拉功能
优点是我们可以把
晶体管的数目从2N减少至N+1
因为我们有
下拉网络中的NMOS晶体管
和一个作为负载器件的晶体管
总共是
N+1个晶体管
在互补CMOS电路中
我们在下拉网络中
有N个NMOS晶体管
在上拉网络中
也有对应的N个PMOS晶体管
所以这个方法可以
将晶体管的数目从2N降低到N+1
缺点是这可能降低电路的鲁棒性
而且会增加额外的功耗
我给你们看一个有比逻辑的例子
在这个例子里
我们用PMOS晶体管作为负载器件
PMOS晶体管的输入接地
这是下拉网络
和这里的一样
我们还有另一个电路
这里是电阻
这里的电阻作为负载器件
下拉网络是一样的
这被称作伪NMOS电路
这是阻性负载
我们的目标是
与互补CMOS相比
降低器件的数量
这是伪
NMOS电路的基本性质
由N+1个晶体管组成
VOH
输出高电平等于电源电压VDD
额定输出低电平不等于0
这是VOL的表达式
等于VDD
乘以这一项
VOL取决于
由下拉网络和负载器件
组成的电阻分压器的分压
VOL=VDD*RPDN/(RL+RPDN)
因为VOL不等于0
这降低了噪声容限
而且增加了额外的静态功耗
负载器件
相对下拉器件尺寸
可以在噪声容限
传输延时和功耗之间权衡
我给你们看一个例子
在这个情况下
NML需要大电阻RL
如果RL很大
那么VOL接近于0
VOL很低
考虑NML的情况下我们需要大负载电阻
然而考虑性能
比如tpLH的情况下
我们需要小电阻
因此小电阻时tpLH很小
因为tpLH=0.69RLCL
为了降低tpLH,
我们需要减小电阻
我们需要权衡
在不同参数之间权衡
我们怎么计算VOL
我们假设NMOS工作在线性区
PMOS速度饱和
我们令通过负载器件
和下拉网络的电流相等
这是通过
由NMOS晶体管组成的
下拉网络的电流
这是通过
PMOS负载器件的电流
这个器件工作在速度饱和区
这个器件工作在线性区
假设VOL小于VGT
VGT是VGS-VT的简写
我们假设VTn和VTp绝对值相等
那么可以得出VOL等于这一项
up*Wp/(un*Wn)*VDSATp
为使得VOL尽量小
PMOS器件的尺寸应当尽量小
这将使PMOS晶体管越来越弱
远弱于NMOS下拉器件
然而 这会对传播延时tpLH有不良影响
我们之前就知道了是吧
在低电平输出的时候
还有静态功耗
因为VOL不等于0
因此存在电流
当VOL为低时的电流我们定义为Ilow
等于这一项
功耗等于VDD*Ilow
近似等于VDD乘以这一项
就是这样
即使电路没有翻转
仍然有功耗
对于伪NMOS逻辑来说是个大问题
在某些情况下
我们还应当考虑
沟道长度调制效应
这张胶片里你可以看到
这张图
这是Vin,这是Vout
如果PMOS晶体管很小
可以被拉低
如果PMOS晶体管
尺寸越大越强
就越难以
被下拉网络拉低
你可以看到
这个器件的尺寸
PMOS晶体管的尺寸
等于4,2,1,0.5,0.25
你可能会问我们
怎么实现W/L小于1的晶体管
这种情况下
我们实际上是增加PMOS晶体管的长度
如果沟道长度不取最小0.25um
我们可以增加PMOS晶体管的沟道长度
这样就可以制造
长宽比小于1的PMOS晶体管
现在是
这堂课的第一道思考题
对或非门和与非门
哪个更适合用伪NMOS实现
我说过对于互补逻辑门
与非门的性能比或非门好
因为与非门的逻辑努力
比或非门小是吧
所以与非门比或非门更快
然而在伪NMOS逻辑中
哪个更好
或非门还是与非门
给出理由
这是第一道思考题
我接下来介绍DCVSL
DCVSL是差分层叠电压开关逻辑
改良伪NMOS的目标
是彻底消除静态电流
我们不希望有静态电流
在静态时从VDD流向GND的电流
这是个问题
同时我们想提供轨到轨的摆幅
并降低tpLH
我们要怎么实现呢
我们可以设计一种叫自适应负载
例如如果输出为高
那么负载电流会自动增加
这就是我们的想法
如果要输出低电平
那么负载电流
会降低或者彻底消除
这是非常好的性质
我们要怎么实现呢
我给你们看个例子
这是
介绍DCVSL的
这有PDN1和PDN2
当PDN1导通时
PDN2关断
反之亦然
当PDN2导通时PDN1关断
我们这有两个PMOS晶体管负载
这是输出
这是输出取反
如果我们假设这个初始值
即输出等于1
那么输出的反为0
因此这个下拉网络关断
这个导通
因为这个导通
输出的反接地
因此输出的反等于0
如果输出的反等于0
那么晶体管M1导通
输出等于1
因为这个关断
输出等于1
这是初态在某个情况下
PDN1和PDN2
同时发生变化
例如这个导通
这个关断
那么这个导通
下拉网络
会试图降低输出电压
因为电流会对输出
和GND之间的电容放电
与此同时你可以发现
因为输出的反等于0
那么晶体管M1仍然导通
因此晶体管M1试图拉高电压
他们会相互竞争
如果我们能保证
这里的下拉网络比上拉网络强
即比M1强
那么Vout会降低
然后使晶体管M2导通
如果M2导通
M2会对输出的反
和GND之间电容充电
那么电势会随之上升
那么这个会使晶体管M1关断
如果这个关断
那这里就没有电流
那么输出的反从0到1变化
输出从1变化到0
这之后你会发现
DCVSL逻辑发生了变化
这是DCSVL的结构图
我们有两个下拉网络
他们是互补且互斥的
互斥的意思是当这个导通
这个必定关断
当这个关断
这个必定导通
静态逻辑
功能仅由NMOS器件实现
具有与伪NMOS逻辑相同的优点
更适合用来实现或非逻辑
因为我们不希望晶体管串联
那是与非逻辑
在或非逻辑中
我们希望晶体管并联
注意 需要仔细设计
PMOS晶体管的尺寸使电路能正确工作
差分逻辑
信号和反向信号都需要
一般需要更多面积
但是如果两个互补下拉网络
可以共享部分晶体管
PDN1和PDN2在某些情况下可以共享晶体管
这样总面积可以大量减小
例如这个例子里
我们同时实现异或门和同或门
异或和同或可以共享部分晶体管
这样我们可以大大减少面积
考虑功耗
这种设计不消耗静态功耗
但是有可能有
翻转电流导致的功耗问题
翻转电流指的是
在发生翻转的过程中产生的电流
性能
由于信号馈通效应
与静态互补CMOS相比恶化
我之后再介绍这一问题
你可以在这看到
这是DCVSL与门
-与非门的瞬态响应
这是与门-与非门
如果A与B同时从0变化到1
那么A反与B反从1变化到0
这是A与B
这是A 反与B 反
你可以看到如果A与B上升
那么输出会下降
输出等于AB反
会下降
如果输出下降
那么输出的反会上升
在这里你们可以看到
因为信号馈通
我们先出现下过冲
然后才上升
在这种情况与门
与非门的传播延时等于197ps
输出的反的延时等于这个
由与非门和
反相器组成的
互补CMOS逻辑的延时是200ps
这是由于信号馈通效应
所以它会比
互补CMOS实现的逻辑门略慢
-1
--文档
-1.Introduction to Digital IC
--Video
-2.Architecture of Digital Processor
--Video
-3.Full Custom Design Methodology
--Video
-4.Semicustom Design Methodology
--Video
-5.Quality Metric of Digital IC
--Video
-6.Summary and Textbook Reference
--Video
-7.HW--作业
-7.PPT
--补充材料1
--补充材料2
-Key Points Review of Last Lecture
--Video
-1.Introduction
--Video
-2.The Diode
--Video
-3.The MOSFET Transistor
--Video
-4.Secondary Effects
--Video
-5.Summary and Textbook Reference
--Video
-6.HW--作业
-6.PPT
--补充材料
-Key Points Review of Last Lecture
--Video
-1.Introduction
--Video
-2.Static Behavior
--Video
-3.HW--作业
-3.PPT
--补充材料
-Key Points Review of Last Lecture
--Video
-1.Dynamic Behavior I
--Video
-2.Dynamic Behavior II
--Video
-3.Power Dissipation
--Video
-4. Summary and Textbook Reference
--Video
-5.HW--作业
-5.PPT
--补充材料
-1.Introduction
--Video
-2.Static CMOS Design I
--Video
-3.Static CMOS Design II
--Video
-4.HW--作业
-4.PPT
--补充材料
-Key Points Review of Last Lecture
--Video
-1.Static CMOS Design III
--Video
-2.Static CMOS Design IV
--Video
-3.Dynamic CMOS Design
--Video
-4.Summary
--Video
-5.HW--作业
-5.PPT
--补充材料
-1.Introduction I
--Video
-2.Introduction II
--Video
-3. Static Latches and Registers I
--Video
-4.Static Latches and Registers II
--Video
-5.Static Latches and Registers III
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-6.HW--作业
-6.PPT
--补充材料
-1.Key Points Review
--Video
-2.Dynamic Latches and Registers I
--Video
-3.Dynamic Latches and Registers II
--Video
-4.Dynamic Latches and Registers III
--Video
-5.Pulse Register
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-6.Pipelining
--Video
-7.Schmitt Trigger
--Video
-8.Summary and Textbook Reference
--Video
-9.HW--作业
-9.PPT
--补充材料
-1. Introduction
--Video
-2. Adder: Full Adder (Definition)
--Video
-3. Adder: Circuit Design
--Video
-4. Adder: Logic Design I
--Video
-5. Adder: Logic Design II
--Video
-6. Adder: Summary
--Video
-7.HW--作业
-7.PPT
--补充材料
-1. Key Points Review
--Video
-2. Multiplier
--Video
-3. Shifter
--Video
-4. Summary and Textbook Reference
--Video
-5. HW--作业
-5. PPT
--补充材料
-1. Introduction
--Video
-2. Capacitance
--Video
-3. Resistance
--Video
-4. Electrical Wire Models
--Video
-5. Summary and Textbook Reference
--Video
-6. HW--作业
-6. PPT
--补充材料
-1. Introduction
--Video
-2. Capacitive Parasitics
--Video
-3. Capacitive Parasitics II
--Video
-4. Resistive Parasitics
--Video
-5. Summary and Textbook Reference
--Video
-6. HW--作业
-6. PPT
--补充材料
-1. Assignment Solving
--Video
-2. The teaching assistants want to say
--Video
-1. Problem 1
--Video
-2. Problem 2
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-3. Problem 3
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-4. Problem 4
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-5. Problem 5
--Video
-6. Problem 6
--Video
-7. Problem 7
--Video
-1. Problem 8
--Video
-2. Problem 9
--Video
-3. Problem 10
--Video
-4. Problem 11
--Video
-5. Problem 12
--Video
-6. Problem 13
--Video
-7. Problem 14
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